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英特尔发布14nmFinFET工艺Xeon处理器和使用3D NAND的SSD

文章来源:本站人气:发表时间:2016-4-7 11:55:35

英特尔于2016年4月1日发布了服务器用微处理器Xeon的新产品以及企业级SSD的新产品。两种类的新产品都容易实现SDI(软件定义基础架构),能轻松构建合适的云环境等。

  此次发布的MPU是面向中端服务器的“Intel Xeon Processor E5-2600 v4系列”(开发代码:Broadwell-EP),利用14nm FinFET工艺制造。与利用22nm FinFET制造的上一代产品“Intel Xeon Processor E5-2600 v3系列”(开发代码:Haswell-EP)相比,强化了性能等。

  具体来说,每个插槽的CPU内核数/线程数量由最多18/36增至22/44;末级缓存容量由45MB增至55MB;支持的的DDR4内存速度也更高,上一代产品最高为DDR4-2133,而新产品达到DDR4-2400。

  SSD新产品有两个系列,分别是“Intel SSD DC P3320/P3520系列”和“Intel SSD DC D3700/D3600系列”。前者在英特尔SSD中首次采用了3D NAND,其中,P3320的性能是SATA连接的现有产品的最高5倍。

  D3700/D3600是英特尔SSD中首款支持双端口的产品。是PCI Express连接的SSD,符合NVMe(Non-Volatile Memory Express)标准。以D3700为基础构建的系统性能最高可达到现在市场上的双端口SAS的6倍。

此文关键词:英特尔发布14nmFinFET工艺Xeon处理器和使用3D NAND的SSD