氮化镓（GaN）材料凭借其高电子迁移率和耐高温特性，使开关电源IC的工作频率提升至传统硅基芯片的5倍（达2MHz），配合准谐振反激拓扑架构，显著减少变压器体积。以65W快充方案为例，采用合封技术的GaN芯片（如MK2697G）将驱动电路、PWM控制器与功率器件集成于5mm×5mm封装内，外围元件减少70%，功率密度突破1.8W/cm³。高频化设计同步降低电磁干扰，使适配器体积较传统方案缩小60%，同时保持98%的转换效率。在工业场景中，这种技术可将1kW服务器电源模块体积压缩至信用卡尺寸，为5G基站等高密度设备提供革新性供电方案。

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