PD 快充已成为手机、笔记本、智能设备的主流方案，而 PCBA 布局不合理会导致快充协议协商失败、发热严重、EMI 超标等问题。结合中天华威 “PD 快充定制方案” 的设计经验，布局优化需聚焦 Type-C 接口适配、功率路径设计、EMI 抑制三大核心。
首先是Type-C 接口的精准布局。Type-C 接口的 CC1/CC2 引脚是协议协商的关键，需直接连接 PD 协议芯片（如国产启臣微电子的 QC650），布线长度不超过 3cm，且避免与高频电路（如电感）平行 —— 若布线过长，会导致 CC 引脚信号衰减，充电器无法识别设备功率需求（如手机需 18W，却协商为 5W）。同时，Type-C 接口的 VBUS 引脚（供电引脚）需采用 “星形拓扑” 布局，直接连接功率管输出端，减少电压损耗；接口附近需并联 TVS 管，防止插拔静电损坏协议芯片（参考文档静电防护要求）。
其次是功率路径的低损耗设计。PD 快充的功率路径（AC-DC 转换→协议芯片→Type-C 输出）需遵循 “短、粗、直” 原则：大电流路径（如 VBUS 回路）的铜皮厚度不低于 2oz（约 0.07mm），宽度≥3mm，减少电阻损耗产生的热量；电感、功率管等发热元件需分散摆放，间距≥5mm，避免热量集中 —— 某深圳客户的 65W PD 快充方案，通过优化功率路径，满负载工作时温度降低 12℃。此外，协议芯片与电源管理 IC 需采用 “单点接地”，避免地环路干扰导致的协议通信错误。
最后是EMI 抑制的布局细节。PD 快充的高频开关动作（如 1MHz 以上）易产生电磁干扰，需在输入端布置 EMI 滤波器（共模电感 + X/Y 电容），且共模电感需靠近 AC 输入端，缩短干扰信号传播路径；输出端的滤波电容（如 100μF 固态电容）需紧贴 Type-C 接口的 VBUS 引脚，减少输出纹波（目标≤20mV）。中天华威在布局时，还会在 PCB 表层铺接地铜皮，覆盖高频区域，增强辐射干扰屏蔽效果 —— 其定制的 PD 方案，EMC 测试通过率达 98%。
服务热线
地址：深圳市福田区华航社区华富路1006号航都大厦6B
邮箱：sales@zthw.cn